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MeHRWert Ausgabe 8 März 2016
(2016)
- Die 8. Ausgabe der HRW-Hauszeitschrift MeHRWert mit Berichten über die Hochschule Ruhr West
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MeHRWert Ausgabe 7 September 2015
(2015)
- Die 7. Ausgabe der HRW-Hauszeitschrift MeHRWert mit Berichten über die Hochschule Ruhr West
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MeHRWert Ausgabe 6 März 2015
(2015)
- Die 6. Ausgabe der HRW-Hauszeitschrift MeHRWert mit Berichten über die Hochschule Ruhr West
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MeHRWert Ausgabe 5 Juni 2014
(2014)
- Die 5. Ausgabe der HRW-Hauszeitschrift MeHRWert mit Berichten über die Hochschule Ruhr West
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MeHRWert Ausgabe 4 Februar 2014
(2014)
- Die 4. Ausgabe der HRW-Hauszeitschrift MeHRWert mit Berichten über die Hochschule Ruhr West
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MeHRWert Ausgabe 3 Juni 2013
(2013)
- Die 3. Ausgabe der HRW-Hauszeitschrift MeHRWert mit Berichten über die Hochschule Ruhr West
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MeHRWert Ausgabe 2 Januar 2013
(2013)
- Die 2. Ausgabe der HRW-Hauszeitschrift MeHRWert mit Berichten über die Hochschule Ruhr West
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Photolumineszenz bei hohen Temperaturen aus epitaktisch wachsenden Nitrid-Halbleiterschichten zur In-situ-Materialcharakterisierung
(2018)
- Photolumineszenz (PL) aus Halbleiterstrukturen liefert Informationen bezüglich verschiedener Materialparameter wie z.B. Bandlücke, Schichtdicke sowie Temperatur. PL-Messungen werden klassischerweise erst ex situ und somit nach dem Produktionsprozess vorgenommen. Wird eine derartige PL-Messung während der Epitaxie einer Halbleiterstruktur und den damit verbundenen hohen Wachstumstemperaturen durchgeführt, erlaubt dies eine quasi-kontinuierliche In-situ-Charakterisierung der optoelektronischen Eigenschaften dieser Struktur zum frühestmöglichen Zeitpunkt, also noch in der Produktionsphase. Hierdurch wird eine In-situ-Optimierung der Prozessparameter ermöglicht, welche bei einer Ex-situ-Messung nicht gegeben ist. Die vorliegende Arbeit beschreibt zunächst theoretisch und dann anhand praktischer Messungen an industrienahen Epitaxie-Anlagen erstmals eine quasi-kontinuierliche In-situ-PL-Messung am Beispiel von wachsenden Nitrid-Halbleiterstrukturen. Über zeitaufgelöste PL-Messungen wird ein temperaturabhängiger Quenching-Mechanismus bei Gallium-Nitrid (GaN) und Indium-Gallium-Nitrid (InGaN) aufgezeigt, welcher den Einsatz von gepulsten Lasern als PL-Anregungsquelle bei hohen Wachstumstemperaturen einer Epitaxie erforderlich macht. Mit In-situ-PL-Messungen können hierdurch erstmals verschiedene Parameter einer gerade wachsenden Halbleiterschicht charakterisiert werden. Neben der Bestimmung der Temperatur und der Schichtdicke einer wachsenden, auf InGaN basierten LED-Struktur wird auch die Möglichkeit demonstriert, in einem frühen Stadium des Wachstums einer LED-Struktur ihre spätere Emissionswellenlänge bei Raumtemperatur vorherzusagen, und dies mit einer Genauigkeit von ± 1,3 nm (2σ). Diese Arbeit zeigt somit neben den industriell etablierten Messtechniken, wie z.B. pyrometrische Verfahren, eine weitere Möglichkeit zur Prozessüberwachung einer Epitaxie auf.
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Industrial and Medical Measurement and Sensor Technology Vehicle Sensor Technology - Abstract Book
(2017)
- IEEE Workshop 2017 June, 8th - 9th 2017
