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Gallium Nitride (GaN) and Indium Gallium Nitride (InGaN) have become important semiconductor materials for the LED lighting industry. Recently, a photoluminescence (PL) technique for direct in-situ characterization of GaN and InGaN layers during epitaxial growth in a planetary metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) reactor was reported. The PL signals reveal – at the earliest possible stage – information about current layer thickness, temperature, composition, surface roughness, and self-absorption. Thus, the PL data is valuable for both controlling and optimizing the growth parameters, thereby promising both better devices and a better yield for the LED industry. This technical report describes an extension of this PL technique to close coupled showerhead (CCS) reactors with narrow optical viewports. In contrast to the wide aperture optics in previous investigations, a compact and all-fiber optical probe without voluminous lens optics, filter elements or beam splitters was used.
LEDs gelten als umweltfreundliche Beleuchtungstechnik. Für die Massenanwendung arbeiten die LED-Hersteller an einer Senkung der Kosten bzw. einer Erhöhung der Ausbeute, insbesondere bei der aufwendigen LED-Kristallbeschichtung auf den Wafern. Während der Beschichtung (MOCVD) werden optische In-situ-Messgeräte zur Überwachung des Prozesses genutzt. Die hier vorgestellte Untersuchung beschäftigt sich mit dem Einfluss von Super-Photolumineszenz-Effekten bei einer möglichen In-situ-Prozesskontrolle in der MOCVD.