Fachbereich 4 - Institut Mess- und Senstortechnik
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LEDs gelten als umweltfreundliche Beleuchtungstechnik. Für die Massenanwendung arbeiten die LED-Hersteller an einer Senkung der Kosten bzw. einer Erhöhung der Ausbeute, insbesondere bei der aufwendigen LED-Kristallbeschichtung auf den Wafern. Während der Beschichtung (MOCVD) werden optische In-situ-Messgeräte zur Überwachung des Prozesses genutzt. Die hier vorgestellte Untersuchung beschäftigt sich mit dem Einfluss von Super-Photolumineszenz-Effekten bei einer möglichen In-situ-Prozesskontrolle in der MOCVD.
Wirbelstromsensoren sind in der industriellen Messtechnik stark verbreitet. Insbesondere bei der Herstellung warmgewalzter Halbzeuge können sie durch ihre Robustheit gegenüber Wasserdampf und hohen Walzguttemperaturen überzeugen. Ein noch offenes Feld ist die In-Situ‐Detektion von Rissen im Draht während des Walzprozesses bei Walzgeschwindigkeiten bis zu 100 m/s und Materialtemperaturen bis zu 1200 ℃. Im Folgenden soll mittels der Finiten-Elemente-Analyse untersucht werden, wie sich Längsrisse im Draht auf Oberflächenströme und damit auf deren magnetische Flussdichte auswirken. Ziel ist es, Aussagen über den Einfluss verschiedener Rissbreiten und Risstiefen auf die magnetische Flussdichte zu machen und so einen möglichen Effekt auf einen Wirbelstromsensor untersuchen zu können.
Gallium Nitride (GaN) and Indium Gallium Nitride (InGaN) have become important semiconductor materials for the LED lighting industry. Recently, a photoluminescence (PL) technique for direct in-situ characterization of GaN and InGaN layers during epitaxial growth in a planetary metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) reactor was reported. The PL signals reveal – at the earliest possible stage – information about current layer thickness, temperature, composition, surface roughness, and self-absorption. Thus, the PL data is valuable for both controlling and optimizing the growth parameters, thereby promising both better devices and a better yield for the LED industry. This technical report describes an extension of this PL technique to close coupled showerhead (CCS) reactors with narrow optical viewports. In contrast to the wide aperture optics in previous investigations, a compact and all-fiber optical probe without voluminous lens optics, filter elements or beam splitters was used.
Photolumineszenz (PL) aus Halbleiterstrukturen liefert Informationen bezüglich verschiedener Materialparameter wie z.B. Bandlücke, Schichtdicke sowie Temperatur. PL-Messungen werden klassischerweise erst ex situ und somit nach dem Produktionsprozess vorgenommen. Wird eine derartige PL-Messung während der Epitaxie einer Halbleiterstruktur und den damit verbundenen hohen Wachstumstemperaturen durchgeführt, erlaubt dies eine quasi-kontinuierliche In-situ-Charakterisierung der optoelektronischen Eigenschaften dieser Struktur zum frühestmöglichen Zeitpunkt, also noch in der Produktionsphase. Hierdurch wird eine In-situ-Optimierung der Prozessparameter ermöglicht, welche bei einer Ex-situ-Messung nicht gegeben ist. Die vorliegende Arbeit beschreibt zunächst theoretisch und dann anhand praktischer Messungen an industrienahen Epitaxie-Anlagen erstmals eine quasi-kontinuierliche In-situ-PL-Messung am Beispiel von wachsenden Nitrid-Halbleiterstrukturen. Über zeitaufgelöste PL-Messungen wird ein temperaturabhängiger Quenching-Mechanismus bei Gallium-Nitrid (GaN) und Indium-Gallium-Nitrid (InGaN) aufgezeigt, welcher den Einsatz von gepulsten Lasern als PL-Anregungsquelle bei hohen Wachstumstemperaturen einer Epitaxie erforderlich macht. Mit In-situ-PL-Messungen können hierdurch erstmals verschiedene Parameter einer gerade wachsenden Halbleiterschicht charakterisiert werden. Neben der Bestimmung der Temperatur und der Schichtdicke einer wachsenden, auf InGaN basierten LED-Struktur wird auch die Möglichkeit demonstriert, in einem frühen Stadium des Wachstums einer LED-Struktur ihre spätere Emissionswellenlänge bei Raumtemperatur vorherzusagen, und dies mit einer Genauigkeit von ± 1,3 nm (2σ). Diese Arbeit zeigt somit neben den industriell etablierten Messtechniken, wie z.B. pyrometrische Verfahren, eine weitere Möglichkeit zur Prozessüberwachung einer Epitaxie auf.
Editorial
Jörg Himmel, Olfa Kanoun, Thomas Seeger, Klaus Thelen IEEE Workshop on Industrial and Medical Measurement and Sensor Technology – SENSORICA 2016 1
Beiträge Jan Taro Svejda, Andreas Rennings, Daniel Erni A metamaterial based dual-resonant coil element for combined sodium/hydrogen MRI at 7 Tesla 2
Fabian Feldhaus, Ingo Schmitz, Thomas Seeger Emission spectroscopy based sensor developed for engine testing 13
Anne-Sophie Rother, Thomas Dietz, Peter Kohns, Georg Ankerhold Molecular laser-induced breakdown spectroscopy for elemental analysis 23
Johannes Kiefer, Andreas Bösmann, Peter Wasserscheid Quantitative measurement of complex substances dissolved in an ionic liquid using IR spectroscopy and chemometrics 32
Oliver Gieseler, Hubert Roth, Jürgen Wahrburg Methods to determine the scaling factor in X-ray images for exact preoperative planning in hip surgery 38
Erwin Gerz, Matthias Mende, Hubert Roth Development of an optical tracking system for a novel flexible and soft manipulator with controllable stiffness for minimal invasive surgery (MIS) 47
Jens Weidenmüller, Christian Walk, Özgü Dogan, Pierre Gembaczka, Alexander Stanitzki, Michael Görtz Telemetric multi-sensor system for medical applications – The approach 53
Inga-Maria Eichentopf, Martin Reufer Measurement and analysis of wavefront structures of diode lasers 59